RAM PAMĚTI

Druhy pamětí

 

 

Parametry pamětí

·         přímý

·         sekvenční

·         Definujeme v rozmezí teplot (např. 1 porucha za 5000 hodin, 1 chyba na 1013 bitů toku)

Parametry aplikované na typech pamětí:

·         mezi procesorem a pamětí

·         mezi procesorem a V/V zařízením

 

Základní dělení

·      SRAMXE "SRAM" statické paměti. Buňky jsou vytvářeny tranzistorovýmí KO, a tedy čtením neztrácí informaci. Paměti jsou organizov8ny po bitech až po 32bitech . Jsou rychlé (12ns) a mají kapacitu až 512kb x 32=16Mb[3].

·      DRAMXE "DRAM"- dynamické RAM . Buky jsou tvořeny kondenzátory a tedy přičtení ztrácí informaci. Potřebují pravidelné obnovování informací.  U těchto pamětí se dosahuje větší hustota informace.

Hardware

Paměti DRAM  jsou standardizovány standardem JEDECXE "JEDEC" (Industry Standard Packing) a EIAJXE "EIAJ", které specifikují rozložení vývodů, elektrické parametry a rozměry pouzder.Paměti jsou pouzdřeny do pouzder SOJXE "SOJ", SIMMXE "SIMM", DIMMXE "DIMM" a ultrakompaktních pouzder ThinSOPXE "ThinSOP".

 

 

 

 

 

 

Operační paměť DRAM na 30 pinových SIMMXE "SIMM" modulech (max 4MB/modul) jsou nahrazovány 72 Pin moduly (od 4MB do 16MB) a DIMMXE "DIMM" (od 8MB do 128MB). SIMM moduly jsou 32bitové, DIMM většinou 64 nebo72 bitové. Značení 72 pinových SIMM modulů:

·      x36            s plnou paritou

·      x36PL       s logickou paritou

·      x32            bez parity

·      x32EDO    EDO RAMXE "EDO RAM"

 Další technologie je vertical wafer integrationXE "vertical wafer integration". První produkty - paměť 128MB je očekávána na jaře 1995.

 Paměti PCMCIA IXE "PCMCIA I" (flashXE "flash") jsou do 128MB.

 Nová technologie DRAM: Extended Data OutXE "Extended Data Out" - EDO - rozšířený výstup dat - hyper-page modeXE "hyper-page mode" - hyperstránkový režim urychluje paměti až o 30% tím, že umožňuje, aby jeden cyklus začal dříve než skončí předešlý.

Osazení paměti více než 64MB vyžaduje podporu BIOSu.

 

Typy RAM

ASYNCHRONNI´ RAM

Asynchronní DRAMXE "Asynchronní DRAM" neboli stránkovéXE "stránkové" čili generické DRAMXE "generické DRAM" jsou klasické DRAM, které po zadání adresy čekají waitem na data na sběrnici.

Fungují do rychlosti sběrnice 66MHz.

SYNCHRONNI´ DRAMXE "SYNCHRONNI´ DRAM"

Synchronní vyrovnávací paměť SDRAMXE "SDRAM" burstXE "burst" cacheXE "SDRAM burst cache" pracující v zřetězeném režimu. (Burst načítá obvykle 4 následující adresy naráz.) Data se vyměňují synchronně s externími hodinami, obvykle rychlostí sběrnice. Rychlost je až 200MHz, tj 10ns a méně. Vhodná pro sériový nebo sekvenční přenos. Dvoubankové SDRAM při výběru střídají banky a tak se díky interleavingXE "interleaving"u eliminují ztrátové časy

 

CLK

  


 

CKE                                                        ARRAY BANK

                                                                        1

/CS                                                                                         DATA

                            CONTROL

DOM

/RAS                                                     ARRAY BANK           BUFFER

                                                                       2

/CAS

 

/W

  


 

A0-A11

                          MODE REGISTER

 

 

 

SDRAM zvětšuje šířku pásma, neboť všechny adresy, data a řízení je synchronizováno jedněma hodinami, a to také umožňuje eliminovat wait stavy. 

Dvě banky umožňují plynulé zasílání dat přes pipelinedXE "pipelined" přístup k datům. Zatímco jedna bankaXE "banka" vysílá data, může se druhá refrešovat nebo dekódovat adresu. Tato paměť může také bufrovat výstup buď sekvenčními daty nebo interleaving-ovanými daty. BurstXE "Burst" režim může být naprogramován tak, že vybavuje stránku celou tj. 1 přenos na stránku, nebo na 2, 4, 8 přenosy. PipelingXE "Pipeling" systém umožňuje zadávat adresu sloupce každý takt hodin.

Označení SDRAM pro 100MHz sběrnice je PC100.

Rozdíly mezi DRAM a SDRAM

DRAM

SDRAM

nemá systémové  hodiny

běží mimo systémové hodiny

řízení úrovní RAS

řízení pulsy RAS

jednobankové operace

2 banky na chipu s interleavingXE "nterleaving"em

1 přenos na sloupec (CAS)

burst =1,2,4,8 přenosů na jednu stránku (CAS)

do 64 (72) bitů

až 128 (144) bitů

prodleva u čtení není programovatelná

Programovatelná prodleva u čtení (latency timeXE "latency time")

 

Většina pamětí SD DRAM používá ECC

 Enhanced DRAMXE "Enhanced DRAM" vznikla integrací 2 nebo 4kB CacheXE "Cache" (SRAM) a 4MB DRAM. Rychlost vybavení je15ns (SRAM) a 35ns (DRAM). EDRAMXE "EDRAM" - je výrobek firmy Ramtron.. Testy vykazují větší rychlosti této paměti než klasické vnější cache.

 

Obdobně SDRAM je Synchonnous Grafphic DRAM využívající též Cache.

SLD RAM

- sync link DRAM - jsou vylepšené SDRAM o podporu vyšších rychlostí sběrnice a o používání paketů 1999.

DDR RAM

double data rate SDRAM neboli

SDRAM II

jsou rychlejší varianty SDRAM a měla by zajišťovat dvojnásobný tok dat, nebo+t 4tou data na ka6dou hranu hodin. (Double Data Rate RAM)

EDO RAM

 (Enhanced Data Output RAM).

Operační paměť EDO RAMXE "EDO RAM", rychlá s dvojnásobnou rychlostí přístupu. Tato paměť je schopna současně vysílat data a nastavovat další adresu. Data jsou na výstupu připraveny, zatím co řadič paměti vyhledává nová data signálem CASXE "CAS". Data na sběrnici jsou platná po delší dobu. EDO RAM zvýší výkon počítače asi o 5%. Lze využít pouze pro čtení. Nelze je kombinovat se standardními moduly. Vyžadují podporu BIOSu, bez podpory nového BIOSu nemusí vůbec pracovat.  Trvání 5-2-2-2 clocks.

FPM RAM

Technologie  FPM -Fast Page ModeXE "FPM -Fast Page Mode"

Jde o variantu původního "prostého" typu RAM, jejíž interní logika předpokládá, že další požadavek na čtení z konkrétního paměťového místa bude ležet hned v jeho sousedství, v tomže řádku paměťových buněk. Pokud SIMM ci DIMM nenese žádné další označení, jde o tento typ.

Parametry

Efektivní vybavovací doba je u FPM a EDO díky Refresh asi 1,8 násobně větší. Nejefektivnější je použití vyrovnávací paměti.

 Jiná možnost zrychlení je nastavení Fast Page ModeXE "Page Mode", neboli stránkový režim. V rámci jedné stránky matice paměťového moduluje je totiž možné v krátkém sledu data přečíst bez refreshe. Page Mode je využíván zejména tam, kde se nemění vyšší část adresy, tj řádek. Paměť může číst jen zadáním sloupce, maximálně 3 další buňky za sebou (Clock 5-3-3-3). Řádky několika spojených modulů vytvářejí paměťovou stránku (page) která má 4kB.

PC WORLD 3/95,ChipWeek 11/95, Chip 6/96

BEDO RAM

Burst EDO RAM je kombinací technologie Burst  a EDO s dvoustupňovým pipelininkem. Naráz se načítají 4 adresy.. Oproti EDO bylo podstatně vylepšeno namítání dat (5-1-1-1), takže od zadání adresy mohou být tri následující zpracovávány v jednom taktu hodin.

Nevýhodou tohoto typu je nedostatek podpory. V soucasné dobe BEDO podporují pouze čipsety VIA (580VP, 590VP, 680V) a odpovídající motherboardy. Bohužel současné BEDO RAM mají problémy s rychlostmi desek nad 66 MHz.

 

Virtual EDO RAMXE "Virtual EDO RAM"

od Fy Kingstom je vyladěná EDO RAM pro procesory Pentium

CACHE DRAM

je obdobná Enhanced DRAM. Má větší Cache (16kB). Tato CDRAMXE "CDRAM" je jednoportová RAMXE "jednoportová RAM", ale rychlejší než dvojportová VRAMXE "dvojportová VRAM".

Rambus DRAM

se využívají jako paměti grafických karet

RDRAM

RDRAMXE "RDRAM" pracuje s 28bitovou sběrnicí (vývody dlouhé 12cm) s frekvencí 500MHz. Adr bus může adresovat až 320 čipů. Nemá integrovanou SRAM, ale stránky se ukládají pomocí čtení čtecích zesilovačů.  Další zvláštností je, že pracují s napětím 2V nebo dokonce s 0,5V, a tím snižují zahřívání a vyzařování. Obdobná paměť je MDRAMXE "MDRAM" (Multibank DRAMXE "Multibank DRAM" od firmy MoSys)

Další vlastnosti

·      přístupová doba v burst režimu je 1,7ns, (asi 20krát rychlejší paměť než DRAM)

·      800MB/s při 400MHz

·      režimy napájení: active, nap, powerDown

·      do 800MHz pak 1,6GB/s

·      přenos dat je zahajován oběma hranami hodin

·      4, 8, 16,   32, 64,  128MB a jsou navzájem komatibilní

·      8 bitový bus pro komunikaci

·      typické propojení 4 RDBUS, pak rychlost je 4x600=2,4GB/s

·      2k Cache

 

 

  

 

 

 

 

 


 

               konektor               2x klíč            konektor

   RIMM

·      není zapotřebí (drahé) L2 cache u motherboardu,

·      moduly RIMMXE "RIMM"

 

 

                                                                              8 kanálů

 

             memory

             contrller                      ,,,,

 

 

                                                           paměti RDRAM      

 

Uspořádání DRAM Wide BUS – 64bitů  66MHz,  533MB/s.

 

                                                                              4 kanály

                                                                                      (nebo 2 či 1

                                                                                       kanál)

             memory

             contrller

 

 

                                                           paměti RDRAM      

 

Uspořádání DRAM Narrow BUS systém

Pro dvoubajtové kanály :4 – 64 bitů, 6,4GB/s

                                           2 -  32 bitů, 3,2GB/s

                                           1 -  16bitů, 1,6 GB/s   

 

Technologie RAMBUS existuje ve třech provedeních

·         Base RDRAM                - 600MB/s

·         Concurent RDRAM      - 700

·         Direct RDRAM               - 1,6GB/s

Jádrem řešení je sběrnice spojující čipy  obdobně jako u DSP. Sběrnice používá několik vf signálů k adresaci a řízení toku dat. Jeden kanál umožňuje přenos dat s rychlostí 1,6GB/s. Struktura RDRAM je modulární, U direkt RDRAM každý AIP pracuje na frekvenci 800MHz, což je na 2B sběrnici 1,6GB/s.

CDRAM

XE "CDRAM" - cache DRAM od firmy Mitsubishi je obdobná paměť integrující 16kB cache SRAM a 4 nebo 16 MB DRAM. Je to synchronní paměť jejíž frekvence je dána frekvencí sběrnice, čímž vylučuje Wait stavy. Navržená frekvence je do 100MHz, což plně vyhovuje Pentiu.

 

 

nDRAM

 - next generation DRAM licence RAMBUS pro Intel (1999?)

VRAM

Video RAMXE "Video RAM" - VRAMXE "VRAM" \b paměti s kapacitou 4Mbit s organizací 256kx16 jsou napájeny 5V nebo 3,3V typu Page Mode nebo EDO Mode. Je to dvouportová paměť. 

Pouzdro SSOPXE "SSOP".

WRAM

paměť pro grafické kary. Obdoba VRAM , ale umí přesouvat celé bloky. Je o 30% rychlejší díky double-bufferingu.

SGRAM

synchronní grafická DRAM je jednoportová ale používá dvou bank. Používá se pro svou rychlost u 3D karet. SDRAM je obohacena o speciální grafické funkce, umožňující operace na velkých blocích dat současně a efektivní využívání vyrovnávacích pamětí.

 

3D RAM

3D RAMXE "3D RAM" je vysoce integrovaná dvouportová pamětXE "dvouportová pamět" obsahující ALU, Cache,seriál access memory SAM, jsou určené pro rychlou 3-D grafiku. Tyto paměti zvyšují až 10x výkon oproti VRAM.

ALU urychluje v Z bufferu změny a práci Cache. Výsledkem je přeměna 100 pixlových trojúhelníků, kterých je možno takto změnit až 1,8 milionů.

Paměť je založena na 10M DRAM, která je tvořena ze 4 bloků s interleavingem propojených 256 bitovou sběrnicí. Každá dvojice bank sdíli jednu SAM přes 640 bitové sběrnice. SAM vytváří videodata. Celková rychlost je 1,6GB/s. Pipelining architektura  umožňuje natahovat pixel data, zatímco další data jsou modifikována.

Rychlost cyklu cache je 10ns.

Pouzdro QFP s 128 piny.

 

 

                   DRAM                256 bus               DRAM   

                  banka  A                                           banka B

  


                                                 256    

            640                                                                   640                          Video

                                                                                                                      data

                                                                                                                      16

                SAM                                                     SAM

             buffer  1                                               buffer 2

  


              640                                                                   640 bus

                                                                                                                         Pixel

                                    256                                                                                 data

                DRAM                                                DRAM

               banka C                                            banka D                 ALU         32

  

 

 


 
 

FRAMM

FRAMMXE "FRAMM" - Foldable Rigid Assembly Memory Module paměti s organizací 32bit nebo 36bit  v provedení SIMM 72 Fast Page Mode DRAMs  (velikost 128MB) (EPN 10.96)

Vlastnosti

·      napájení 3V

·      high density DRAM

FRAM

FRAMXE "FRAM" - Ferroeletric RAMXE "Ferroeletric RAM" jsou paměti  kombinující rychlost RAM s malým příkonem. Ferroelektrický jev je schopnost krystalů samopolarizace za určitých podmínek..  při změně těchto podmínek se jev ztrácí. projevují  se tedy jako binární systém.

Vyrábí se z titanátu zirkonátoolovnatého PZT nebo tantalátu vizmutostrontnatého SBT.

 

Vlastnosti

·      napájení 3V

·      non volatilní

·      malý příkon

·      1017 R/W cyklů

·      čtení 2krát rychlejší než  flashXE "flash"

·      7krát rychlejší R/W cykl než flash

FMEM

Field MemoryXE "Field Memory" FMEM XE "FMEM"jsou asynchronní DRAM paměti se sériovým přístupem. Pracují obdobně jako FIFOXE "FIFO".  Byly konstruovány pro video aplikace a jsou ideální pro digitální aplikace kde je požadována rychlost a velké kapacity paměti. Mají nízkou spotřebu.

·      Organizace 250k x 8 tj. 4Mbit

·      automatický refresh, takže pracují jako SDRAM

·      2 datové porty :1 čtecí a jeden zápisový

·      napájení 3,3V popř. 5V

·      hodiny 41MHz

·      přenos 62MB/s

·      SSOPXE "SSOP" pouzdro

 

 

        RSTW, WE,  IE                                                                                           RSTR,  OE,   RE

                                                       Řízení náhodné adresy bloku

SWCK

                                                                                                                                                                 Q0 - Q 11

                                                                                                                                                   OUT buffer  OE

WE

 

                                                                               POINTERS                                                Ouput

RSTW                  Input                                                                                                                                     RSTR

                                                                                                                                                    shift

IE                            shift

                                                                                                                                                     reg                 RE

                                reg                                        Pole paměti

                                                                                                                                                                             SRCK

 

 

D0 - D11              

                      IN buf

 

                                                                        Arbitrážní logika       

 

                                                                                                                                              Auto refresh
 

ASRAM

AsyncSRAM jsou paměti používané v cache L2. Procesor musí na data čekat, nejsou synchronizovány se systémovými hodinami.

SSRAM

neboli SyncSRAM jsou synchronní burst SRAM. Jsou rychlejší než ASRAM (7,5ns) a jsou synchronizovány  s hodinami. Nejsou schopny spolupracovat se sběrnicemi  66MHz a vyšší

PBSRAM

Pipelined burst SRAM pracují ve zřetězeném dávkovém synchronním režimu i na frekvencích vyšších než 75MHz.

PLEDM

jsou paměti, které nahradí (asi) do r. 2003 DRAM

PLEDM - Phase-state Low Electron Drive Memory - mají podstatně nižší spotřebu, jsou rychlejší. Pro výrobu  použita 0,2um technologie

Má možnost si udržet hodnotu i pro několik čtení (zatím nespecifikováno) bez napájecího napětí.

Struktura - Paměť pro jeden bit se skládá ze dvou tranzistorů - budícího (řídícího) a většího MOS tranzistoru řízeného. Řídící tranzistor tvoří speciálně izolovanou buňku s 1000 elektronů. Tyto elektrony jsou ovládány řídící elektrodou a jimi vytvořené pole ovládá řízený tranzistor. Pole vytvořené elektrony v řídícím tranzistoru bude zachován i po vypnutí napájení. Paměť nebude potřebovat refresh.

Doba zápisu i čtení je 10ns. Předpokládaný časový cyklus je 100ns.

Kapacita se předpokládá  4GB na rozdíl od dnešních 256Mb.

FIFOXE "FIFO"

Rychlé statické paměti s vybavovací dobou 10ns velikosti 1k x 9bitů. Jsou

                                                                                              DATA IN      

                                                  write

     W     WR control                         pointer                              dual port

                                                                                                      RAM

                                                                                                    memory                    

      R       RD control                           read

                                                           pointer              

     reset

               RESET

                                                                               BP

    fun                                                                       WP                       DATA OUT

    N       expansion                      FLAG       RP

                                                                     X
to paměti dual-port s nezávislým zápisovým a čtecím pointrem. Jsou jednoduše kaskádovatelné. (EPN 10/96)

Provedeni

SIMMXE "SIMM"

SIMM jsou DRAM pro 8, 9, 32, 36 bitů (včetně parity)

30ti pinnové SIMM

mají  velikosti 256kB, 1, 4 MB a v provedení 8 nebo 9 bitové.

PIN            Význam                        PIN                 Význam

1          VCC                                                      16       DQ4

2          /CAS  výběr sloupce           17       A8   

3          DQ0    data                           18       A9

4          A0      adresa A0-A10         19       A10

5          A1                                          20       AQ5

6          DQ1                                       21       /WE   Write Enable

7          A2                                          22       Gnd

8          A3                                          23       DQ6

9          Gnd                                        24       NC

10       DQ2                                       25       DQ7

11       A4                                          26       PQ    Parita out

12       A5                                          27       /RAS Výběr řádku

13       DQ3                                       28       /PCAS Parita CAS

14       A6                                          29       PD   Parita out

15       A7                                          30       VCC      

 
Tab. pro 4MB SIMM

 

72 pinové SIMMXE "72 pinové SIMM"

Pro 486 lze u 32+4 bitových pracovat i bez parity.

Pentia nepodporují  paritu.

 

Bity PD1 PD2 určují velikost paměti

KAPACITA 4 MB 8MB 16MB 32MB
PD1 GND NC GND NC
PD2 GND NC NC GND
 

bITY PD2 a PD3 určují rychlost paměti

RYCHLOST 60ns 70ns 80ns 90ns
PD3 NC GND NC GND
PD4 NC GND GND NC
 

výška modulu je 25 mm.

PIN                Význam                     PIN                 Význam

1          Gnd                                        37       DQ17

2          DQ0                                       38       DQ35

3          DQ18                                     39       Gnd

4          DQ1                                       40       /CAS0 LSB

5          DQ19                                     41       /CAS2   3 byte

6          DQ2                                       42       /CAS3   MSB

7          DQ20                                     43       /CAS1   2.byte

8          DQ3                                       44       /RAS0   LowWord

9          DQ21                                     45       NC

10       VCC                                                      46       NC

11       NC                                         47       /WE     Write Enable

12       A0                                          48       NC

13       A1                                          49       DQ9

14       A2                                          50       DQ27

15       A3                                          51       DQ10

16       A4                                          52       DQ28

17       A5                                          53       DQ11

18       A6                                          54       DQ29

19       A10                                        55       DQ12

20       DQ4                                       56       DQ30

21       DQ22                                     57       DQ13

22       DQ5                                       58       DQ31

23       DQ23                                     59       VCC

24       DQ6                                       60       DQ32

25       DQ24                                     61       DQ14

26       DQ7                                       62       DQ33

27       DQ25                                     63       DQ15

28       A7                                          64       DQ34

29       A11                                        65       DQ16

30       VCC                                                      66       NC

31       A8                                          67       PD1   kapacita modulu

32       A9                                          68       PD2   kapacita modulu

33       NC                                         69       PD3   rychlost modulu

34       /RAS2 pro HiWord              70       PD4   rychlost modulu

35       DQ26                                     71       NC

36       DQ8                                       72       Gnd

 
SIMM 72     4MBx32

 

Značení SIMM


  

            KMMWWWXXXXYYYYYY-ZZ

                                                                      

                                                                            Rychlost v 10ns

                                                                            Provedení kontaktů nebo zák.

                                                                                   moduly

                                                                                   bez ozn     standard

                                                                                   G                 pozlacený

                                                                                   M                IBM

                                                                                   J                 JEDEC

                                                                            V:  X32/X33  (jen u PCB)

                                                                            Třídění PCB

                                                                                   bez. zn             netříděné

                                                                                   1                      první třídění

                                                                                   2                      druhé třídění

                                                                            Počet prvků nebo délka zákl. slova

                                                                                   bez ozn            <7

                                                                                   N                      >8

                                                                                   W                     šířka zákl. slova

                                                                            Typ pouzdra

                                                                                   bez ozn            SOI nebo PLCC

                                                                                   T                      TSOP

                                                                           Třídění

                                                                                   bez ozn            netříděné

                                                                                   1                      1. třídění

                                                                                   2                      2.   ”

                                                                                   3                      3.    ”

                                                                           Velikost/vlastnosti

                                                                           Organizace

                                                                                   8                      8 bitů

                                                                                   9                      9 bitů

                                                                           Druh konektoru

                                                                                   5                      DRAM SIMM

                                                                                   4                      DRAM SIP

                                                                          Modul

                                                                          Paměť

16MB x32(36)

  


 

 DQ0-8                                         DQ9-17

  


 

  RAS0

  

 


 

A0-11

WE

  

 


 

               DQ18-26                 DQ 27-35

  


 

               RAS 2

 

 

 

  Moduly SIMM jsou v provedení

·      single sided - sestaveny se single modulů - 1, 4 , 16, 64MB nebo

·      double-sided sestaveny s dvojic single modulů. Pak kapacita je dvojnásobná. Mají propojeny kontakty 33 a45.

EDO : do 32MB, FPM ECC do 64MB.

DIMM

DIMMXE "DIMM"(Double Interline Memory Module) jsou 64 bitové dvouřadé zásuvné RAM paměti velikostech  16, 32, 64, 128, 256 MB)

·      4Bytové DRAM DIMM

·      Small Outline DIMM - SODXE "SOD" SODIMMXE "SODIMM"

·      od r. 1995 72pinové. 32 bitové

·                        88pin, (36bit),

·      od r. 1996 144pinovové 64 bit  64MB

·      8Bytové DIMM jedno a dvou bankové

·      DRAM bufrované 168 pin (72bitů) 16 až 256MB (EDO, EDOFPM,ECC), 3,3V a 5V

·      DRAM nebufrované 168 pin (64/72bitů) dtto

·      SDRAMXE "SDRAM" bufferedXE "buffered" 200pin (72) 64MB

·      SDRAM nebufrovanéXE "nebufrované" 168pin (64/72)16 až 256MB

·      SDRAM bufrované 158pin (64/72) 16, 256MB

·      SDRAM SO-DIMM 144pin (64bitů) 64MB

·      16   Bytové

·      SDRAM DIMM 278pin (144bit) 64MB       

¨Napájení

·      3,3V (označení V)

·      5V

Odlišení je v pozici jednoho klíče - pro 3,3V je posunut o jednu rozteč vpravo. Druhý klíč (více vlevo) je pro rozlišení bufferované paměti a paměti bez bufferů.  Bufferovaná má klíč o jednu rozteč více vlevo.

Kontrola dat

·      paritou nebo

·      ECC tzv. ECC Module

Refresh 4kcyklů/64ms

SDRAM mají f = 200MHz, očekává se 400MHz

Trend: v roce 1999 bude 60% 200 a 168pinových SDRAM DIMM bufffered

                                             15% 144pin SDRAM SO-DIMM unbuffered

                                             15% 168pin 8Byte DIMM FPM, EDO 64/72

                                             10% 144pin 8Byte DIMM FPM, EDO (Unbuffered)  

Osazení čipy

·      GSI - giga scale integration pro 4Gb DRAM čipy (NEC 1997)

RIMM

RIMMXE "RIMM" - rambus inline  memory module je modul paměti maximálně s osmi čipy s 8mibitovou řídící strukturou. Základní desky mohou obsahovat max. 3 patice. (3x128MB)

184 pin, 1mm pitch

oddělené řádkové a sloupcové busy

2,5V napájení

 

Paměti DIMM mají značení skládající se z několika (až 4)   řádků (podle normy PC100). Každý musí mít výrobce a číslo skládající se z

·         typ  - např HYB, který značí DRAM (podle Siemens)

·         napájecí napětí  39  -3,9V

·         provedení            S  - SDRAM

·         uspořádání modulů      1680  - 16MB  po 8mi modulech na každé straně

·         JEDEC označení          0          - SDRAM

·         fyzické provedení

·         - číslo udávající přístupovou dobu v ns

·         na dalším řádku  CAS Latence - zpoždění taktů např CAS 2 nebo CAS 3

·         výrobce a rok a týden výroby

 

 

Další provedení

68PLCC       512Kx24 SRAM 3,3V

68PLCC       512k*32  SRAM     20ns

66PGA                 DTTO

ACer

Apple

Compaq do 1GB

HPdo 1GB

IBM do 1GB

Silicon Grafics do 256MB

SUN do 1GB

provedení pro laserové tiskárny

provedení pro faxy

 

Banky DIMM

DIMM banky jsou obvykle tvořeny jednotlivými moduly. Pro urychlení činnosti jsou, zvláště v serverech, tvořeny dvojicemi modulů DIMM.

Trendy

RamLinkXE "RamLink"

technologie je aplikací normy SCE- Scalable Coherent InterfaceXE "normy SCE- Scalable Coherent Interface". RamLink je paměťové rozhraní s dvoubodovými spoji uspořádánými do kruhu jako u sítě. Tok dat v kruhu je řízen paměťovým řadičem, který odesílá zprávy čipům DRAM fungujícím jako uzly.

PLEDM

Phase-state  Low Electron Drive Memory jsou mnohem méně energeticky náročné než DRAM. Vybavovací doba je 10ns a vybíjení je podstatně pomalejší. Lze z nich několikrát za sebou bez rifreše. Tranzistory jsou vyrobeny 0,2um technologií. Na buňce je vytvořena tenká izolační vrstva , která zabranńuje vybíjení. Vyrobeno firmou Hitachi.

 

Proteinové pamětiXE "Proteinové paměti"

založené na proteinových molekulách, které mění svůj tvar, pokud jsou vystaveny světlu. Absorbcí zeleného světla se mění struktura molekuly přesunem protonu. Pak pomocí přesně zaměřeného červeného světla, detektor zachytí světlé a tmavé vzorky indikující stav 1 a 0. Tato paměť je vyvíjena od r. 1970 a předpokládá se, že první vzorky o velikosti 24GB se objeví v roce 2003. Tyto paměti jsou rychlé (rychlost mezi RAM a vysokorychlostními pevnými disky). Zápis do paměti je jednoduchý, ale čtení je obtížné. Lze tak sestavit 3-D paměti. Otázkou dnes je ještě jejich životaschopnost.

Clustrová implantace

je založena na implantaci iontů pomocí iontových paprsků pro 0,5um technologie. Pomocí této technologie lze vyrobit 256GB DRAM. Předpokládaná výroba: 2002.

Správce paměti

má za úkol uspořádat paměť tak, aby rezidentní programy zabíraly co nejmenší prostor v konvenční paměti.

DOS

Správce pamětiXE "Správce paměti"XE "Správce paměti" se tedy snaží přenést všechny zavaděče TSR programy a určité části DOS do horní paměti.

HIMEM.SYS

Zpřístupňuje paměť

·      High  - default nastaveno řízení paměti HMB

·      XMS

XMS je vždy alokována celá, pokud není připojena EISA sběrnice. Pak alokuje jen 16MB.

parametry:

/A20control:on|off

Ovládání linky A20 umožňuje přístup do HMB. Default: on.

Při OFF řídí linku pouze pokud je vypnuta.

/EISA

Používá se pro alokaci celé paměti  počítače se sběrnicí EISA. Jinak alokováno  jen 16MB.

/numhandels = číslo

Určuje počet současně alokovaných bloků v XMS. Default je 32. Zvětšovat pouze, když si to aplikace výslovně vyžaduje.

/TESTMEM:on|off

Zapnutí a vypnutí dynamického testu paměti. Vhodné zapnout.

/VERBOSE

zapíná výpisy o stavu a chybová hlášení. Vhodné.

 

EMM386.EXE

Ovladač slouží k

·      emulaci EMS z paměti XMS,

·      zpřístupnění UMB (není default zapnuté) a

·      poskytování služeb VCPI.

Vyžaduje zavedený ovladač HIMEM.  Lze používat i během práce počítače. Zpomaluje rychlost počítače.

 

Windows

Ve WindowsXE "Windows" se vyskytují 3 problémy se správou paměti.

·      Systém nechá program využívat 1. MB paměti. Systém sem nechá nahrávat jak programy tak i se snaží nahrát  do prostoru s nejnižší adresou knihovny DLL.

·       

·      Systém zaznamenává množství informací a vlastním uživatelském rozhraní. Windows pak nemají dostatek prostoru v rezervovaných oblastech paměti typu heapXE "heap" pro všechny aplikace

·      Windows někdy úplně vyčerpají paměť

Windows využívají 7 oblastí paměti heap adresovaných 16ti bitovým ukazatelem (po 64kB).

Pokud je systémové paměti nedostatek, systém může být nestabilní (špatně zobrazuje písmo až kolaps).

Část konvenční paměti je pro každou aplikaci nezbytná, aby se vůbec mohla spustit.

Manažér paměti se proto snaží nahrávat co nejvíce (zejména rezidenty) do Horní paměti, nepotřebné informace a neběžící aplikace zkomprimovat a swapovat na disk a zbytek prostoru komprimovat. Správci ale snižují výkon počítače. Vhodné pro Windows 3.x jsou: Hurricane 2.0, Magna RAM, QEMM8XE "QEMM8", Max8,Doubler1.03.

QEMM

verze 7.5

QEMM umožní natáhnout podstatnou část DOSu do UMB. Poskytuje služby

·      EMS

·      XMS

·      DPMI (nutné doinstalovat ovladač)

·      několikanásobným bootováním vylepšit konfiguraci

·      ruční úpravy nastavení

Podporuje

·      DoubleSpace,

·      DriveSpace,

·      StackerXE "Stacker".

·      vícenásobnu konfiguraci v souborech CONFIG.SYS a AUTOEXEC.BAT .

 K tomuto programu náleží i program ManifestXE "Manifest", který zobrazuje detailní informace o paměti, IRQ, velikosti HD, systémových souborech, PCMCIA a Windows.

QEMMXE "QEMM" rozpozná předcházející instalaci jiných manažérů paměti.

QEMM má zainstalovaný program QuickBootXE "QuickBoot", kte

rý pracuje jen při teplém startu. Ruší se dvojím stiskem trojkombinace.

S QEMM můžeme maximálně dosáhnout 634kB volné paměti.

QEMM obsahuje 32bitový paměťový manažér.

Verze 8,0 potřebuje na disku 4,5MB, Intel 386 a vyšší, 1,25MB RAM, pro grafické systémy (Windows) 4MB RAM. U Win95 se nastavují  parametry jen u jeho modulu MagmaRAM, u ostatních systémů též FreeMeg a Resourse Manager.  QEMM nastavuje config.sys, autoexec.bat a komprimuje RAM, aby ušetřil místo a zrychlil swapování. 

MemMaker

memMaker umožňuje pomocí HIMMEM.SYS a EMM386.EXE poskytovat služby XMS a EMS a uvolnit konvenční paměť. Vyžaduje předem stanovit  velikost využití EMS a XMS.

Proto je nevhodný při větším množství aplikací, lišících se nároky na jednotlivé paměti.

386MAX

Obdoba  QEMM. Poskytuje služby ve standardech VCPI a VDS.

Memory Commander 2.11

Nabízí konvenční paměť velikosti až 962kB (pro mono), pro VGA bez grafiky 920kB a s grafikou 800kB. Není bezproblémový.

 

Testování pamětí

testovat dynamicky paměť je možné dosovským Himem nebo specielními programy např. testmem, který je  dostupný  na adr. www.freeware.ru . Tyto programy testují jen paměť nad 1M.